2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)CS コードシェアセッション：【CS.9】6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

[9a-N401-1~11]CS.9 6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

2025年9月9日(火) 9:00 〜 12:00
N401 (共通講義棟北)
9:00 〜 9:15

[9a-N401-1]価電子帯HAXPESによる酸化物中のサブパーセント量の酸素欠損の分析

中村 雅基1、住田 弘祐2、〇鈴木 哲1 (1.兵庫県立大、2.マツダ（株）)
9:15 〜 9:30

[9a-N401-2]AFMリソグラフィーと二次元炭素材料アシストエッチングを利用したシリコンナノ構造体の作製

〇(M2)三浦 有貴1、宇都宮 徹1、一井 崇1 (1.京大院工)
9:30 〜 9:45

[9a-N401-3]Ni(111)表面上の単層h-BN膜におけるCOとH2Oの反応性

〇安藤 雅晃1、Carraro Giovanni2、Savio Letizia2、Bracco Gianangelo2,3,5、Rocca Mario2,3、岡田 美智雄1,4、Vattuone Luca2,3,5 (1.阪大院理、2.IMEM-CNR Genoa Unit、3.DIFI University of Genoa、4.阪大放射線機構、5.INAF Genoa Unit)
9:45 〜 10:00

[9a-N401-4]SiC(0001)表面上のSiNエピタキシャル超薄膜

〇小野田 穣1、安藤 寛2、Wolkow Robert3、Pitters Jason4、中川 剛志5、Viscovskiy Anton6、田中 悟6 (1.福岡教育大、2.光科学イノベーションセンター、3.アルバータ大、4.カナダ国立研究評議会、5.九大総理工、6.九大院工)
10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[9a-N401-5]Si表面の協奏酸化反応機構：
少数キャリア捕獲過程のp-Si(001)/n-Si(001)比較

〇(M1)岡部 優希1、津田 泰孝2、Wen Hengyu1、吉越 章隆2、高桑 雄二3、小川 修一1 (1.日大生産工、2.原子力機構、3.東北大)
10:15 〜 10:30

[9a-N401-6]紫外線照射による多層カーボンナノチューブの欠陥形成

〇(M2)荒木 一慶1、前島 尚行1、滝沢 優1 (1.立命館大理工)
10:45 〜 11:00

[9a-N401-7]ペンタセン重合における原子状水素の効果

〇中山 美咲1、住友 弘二1、部家 彰1 (1.兵庫県立大)
11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[9a-N401-8]光電子制御プラズマCVDによる窒素ドープDLC合成：放電様式依存

〇(M1C)焉 域霖1、関 理志1、小川 修一1 (1.日大生産工)
11:15 〜 11:30

[9a-N401-9]Siナノドット多重集積構造における電荷輸送特性

〇(M1)窪田 遥斗1、白 鍾銀1、今井 友貴1、田岡 紀之2、牧原 克典1 (1.名大院工、2.愛知工大)
11:30 〜 11:45

[9a-N401-10]XPS Si 2pスペクトルと電気特性の相関から推定されるPECVD-SiO2/Siの成長様式と界面準位低減の要因

〇武田 さくら1、Emilia Hashamova2、長谷川 菜1、上沼 睦典3、宮尾 知幸1、小野 直亮1、浦岡 行治1、船津 公人1 (1.奈良先端大、2.カールスルーエ工科大、3.産総研)
11:45 〜 12:00

[9a-N401-11]超音速窒素分子・一酸化窒素分子ビーム照射によるハフニウム堆積Si(111)表面界面の窒化・酸窒化反応機構

〇垣内 拓大1、大浦 吉乃1、高城 陽菜1、津田 泰孝2、吉越 章隆2 (1.愛媛大学理学部、2.原子力研究開発機構)
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