講演情報
[9a-N401-5]Si表面の協奏酸化反応機構：
少数キャリア捕獲過程のp-Si(001)/n-Si(001)比較
〇(M1)岡部 優希1、津田 泰孝2、Wen Hengyu1、吉越 章隆2、高桑 雄二3、小川 修一1 (1.日大生産工、2.原子力機構、3.東北大)
キーワード：
Si熱酸化、リアルタイムXPS、表面反応
Si(001)表面酸化過程をXPSでリアルタイム観察し、電子と正孔を比較して少数キャリア捕獲過程を解明した。界面酸化は電気的中性保持のための少数キャリア捕獲に律速することが明らかとなった。また多数キャリア捕獲後の空孔V±と分子状吸着酸素O22-(chem)の結合に対する少数キャリア捕獲係数はp-Siで0.54、n-Siで0.59でありn-Siの酸化速度が速い要因であると考えられる。