講演情報
[9a-N401-8]光電子制御プラズマCVDによる窒素ドープDLC合成：放電様式依存
〇(M1C)焉 域霖1、関 理志1、小川 修一1 (1.日大生産工)
キーワード：
ダイヤモンドライクカーボン、光電子制御プラズマCVD、ラマン分光
グラフェンFETのゲート絶縁膜として注目されるDLC膜について、窒素をドープしたN-DLC膜の成膜条件を光電子制御プラズマCVDにより検討した。グロー放電とタウンゼント放電を用い、N₂流量を変化させた結果、放電モードにより成膜効率やDLC形成に差異が見られた。特にタウンゼント放電ではN₂の影響でCH₄解離効率が低下し、成膜が困難となることが示唆された。