[9a-N403-1~11] 7.2 電子ビーム応用

9:30 〜 9:45

[9a-N403-3] 低真空二次電子検出器を用いた絶縁体孔構造のSEM観察

〇姚 遠昭¹、澁谷 宗平¹、関口 隆史¹ (1.筑波大学数理)

キーワード：

二次電子、低真空、走査電子顕微鏡

我々は、UVD（Ultra Variable-pressure Detector）検出器を用いて、絶縁性樹脂中の高アスペクト比深孔構造を低真空走査型電子顕微鏡で観察した。UVD像では微細な凹凸まで鮮明に捉えられたが、反射電子像では十分な情報が得られなかった。観察像の質は導電性や真空度に依存し、適切な条件下でアスペクト比>10の孔内部も観察可能であった。さらに帯電モデルを構築し、観察条件によって、孔の像が変化するメカニズムを検討した。