講演情報
[9a-N406-4]顕微サーモグラフィによる半導体レーザの直接温度計測
〇谷口 清人1,2、板谷 太郎2、前田 讓治1、乗木 暁博2、天野 建2 (1.理科大理工、2.産総研)
キーワード：
レーザダイオード、顕微サーモグラフィ、温度分布
Co-Packaged Optics（CPO）においては、スイッチASICと光トランシーバの一体実装が進む中、半導体レーザの高密度実装とその熱的信頼性が課題となっている。本研究では、InP系光通信用レーザを対象に、空間分解能10 µm以下の高解像度顕微サーモグラフィを用いて、動作中の温度分布を直接観測した。特に、上部ストライプ領域、電極、端面の3部位に着目し、電流20 mA印加時の局所温度を比較した。その結果、ストライプ領域における顕著な温度上昇（48.6℃）が確認され、これは再結合熱やコンタクト抵抗の影響を反映していると考えられる。本手法は、CPO環境における熱設計および放熱構造の最適化に向けた有効な手段となる。