セッション詳細
[9a-N406-1~7]1.3 新技術・複合新領域
2025年9月9日(火) 10:00 〜 11:45
N406 (共通講義棟北)
[9a-N406-1]MOF/無機材料ヘテロ構造の分子センサチップ上での成長手法の開発と
無極性分子への高感度、選択的検出の実証
〇(DC)弘世 幹久1、高橋 綱己1、細野 暢彦1、運 愛斗1、細見 拓郎1、田中 航1、劉 江洋1、本田 陽翔1、植村 卓史1、柳田 剛1,2 (1.東大院工、2.九大先導研)
[9a-N406-2]Electron and proton in pico-water functions such as nelear transformation and chemical reducution
〇杉原 淳1、Maiwa Hiroshi1 (1.SIT)
[9a-N406-3]平面半導体プロセスによる湾曲導波路とマイクロミラーの集積化試作
〇(M2)菊地 奎人1、板谷 太郎2、岡野 好伸1、乗木 暁博2、天野 健2 (1.都市大総合理工、2.産総研)
[9a-N406-4]顕微サーモグラフィによる半導体レーザの直接温度計測
〇谷口 清人1,2、板谷 太郎2、前田 讓治1、乗木 暁博2、天野 建2 (1.理科大理工、2.産総研)
[9a-N406-5]汎用 RIE装置を用いたCOREシリコンエッチング技術の開発-マスク材の影響について-
〇青木 画奈1、赤羽 浩一1 (1.情報通信研究機構)
[9a-N406-6]N+照射により形成したアモルファス化SiエッチングマスクのKOHエッチングに対するエッチング速度のイオンエネルギー依存性
〇佐藤 美那1、遠西 美重1、松谷 晃宏1 (1.Science Tokyo RIM)
[9a-N406-7]SmCo磁石で高密度化されたRIEチャンバー内のプラズマ分布の観察
〇遠西 美重1、佐藤 美那1、松谷 晃宏1 (1.東科大RIM機構)