講演情報
[9a-P02-10]VO2/AZO積層膜における電圧印加誘起絶縁体-金属転移に関する研究
- VO2膜の温度変化が転移速度に与える影響 -
〇(M1)蘭 田1、于 鹏1、平鍋 頼1、沖村 邦雄1 (1.東海大院工)
キーワード：
二酸化バナジウム、透明導電膜、サーマルカメラ
VO2/AZO積層膜における電圧印加による絶縁体-金属転移（IMT）の光学特性変化と,その温度制御が転移速度に与える影響について報告する.反応性スパッタ法で作製したAZO膜上にVO2薄膜を堆積し,電圧を印加することでジュール熱によるIMTを誘起する.1450 nm赤外光の透過率測定やサーマルカメラによる温度分布解析から,膜表面の温度が不均一であることがわかり,これが相転移の不完全性や局所的過熱,デバイスの性能・応答速度に影響を与えていることを示した.温度管理の適正化が,高速な相転移と性能向上に重要であることを明らかにし,今後の性能向上に向けた新規構造について議論する.