講演情報
[9a-P02-15]Anatase構造を持つ新規酸化物半導体Sc-doped TiO2薄膜の電子構造およびキャリア密度
〇藤田 怜奈1、矢吹 倫啓1、國司 倫渚1、志賀 大亮2、組頭 広志2、樋口 透1 (1.東理大・先進工、2.東北大多元研)
キーワード：
Sc-doped TiO2薄膜、p型酸化物半導体、キャリア密度
RFマグネトロンスパッタリングによってAl2O3基板上にTi0.99Sc0.01O2-δ (Rutile, Anatase)薄膜を用意した。このときRutile型、Anatase型ともに300 ℃で成膜し、結晶構造、電子構造、電気伝導度の温度依存性と酸素分圧依存性、ホール効果を測定した。その結果、電気伝導度の酸素分圧依存性の傾きははRutileでは負、Anataseでは低酸素分圧領域で正であった。また、ホール係数はRutileでは負、Anataseでは正であった。ここから、キャリアの種類はRutileが電子、Anataseが正孔だと推定できる。