講演情報
[9a-P02-3]電荷秩序の電気的制御に向けた基板表面状態制御によるLuFe2O4薄膜の単結晶化
〇福地 厚1、小林 宏之2、有沢 洋希1,3,4、齊藤 英治1,3,4,5,6、岡本 敏1,2 (1.東京大学–住友化学社会連携講座、2.科学大–住友化学協働研究拠点、3.東大工、4.理研CEMS、5.東大Beyond AI、6.東北大AIMR)
キーワード：
電荷秩序、電子強誘電体、新原理メモリ
電荷秩序物質の結晶内では、イオン変位を伴わない電荷分布に由来する分極が普遍的に発生する。本研究ではそれら電荷秩序型の分極を基にする新たな応用デバイスの開拓を目指して、電化秩序物質LuFe2O4薄膜に対する詳細なエピタキシャル成長評価を行った。LuFe2O4の単結晶薄膜成長は使用するYSZ基板の表面構造の周期化によって顕著に促進されることが観測され、デバイス応用に向けた重要な知見を得ることができた。