講演情報
[9a-S203-10]3次元フラッシュメモリにおけるゲート側注入型書込み動作への構造影響
〇石川 達也1、竹田 裕1、来栖 貴史1 (1.キオクシア株式会社)
キーワード：
TCAD、フラッシュメモリ
書込み時にゲート側からキャリアを注入するゲート注入型動作は、ブロック酸化膜のトンネル酸化膜に対する容量比で書込み効率を制御できる性質上、3次元フラッシュメモリの書込み特性を大きく改善する技術として注目されている。本研究では、本動作を円筒型の3次元フラッシュメモリに適用した際の改善効果の予測と、書込み効率改善効果における構造影響を解析した結果について論ずる。