セッション詳細

[9a-S203-1~10]13.5 デバイス/配線/集積化技術

2025年9月9日(火) 9:00 〜 11:45
S203 (共通講義棟南)

[9a-S203-1][第58回講演奨励賞受賞記念講演] 選択的H2導入を用いた分子線エピタキシーによる結晶品質改善とGeSn/GeSiSn 共鳴トンネルダイオードの室温動作実証

〇鳥本 昇汰1、石本 修斗1、加藤 芳規1、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2、柴山 茂久1 (1.名大院工、2.名大未来研)

[9a-S203-2]Bi2Te3/n-Ge界面反応挙動の解明とコンタクト特性への影響

〇(M1C)糸尾 光尊1、金 美賢1、畑山 祥吾2、張 文馨2、齊藤 雄太1,2,3 (1.東北大工、2.産総研 SFRC、3.東北大 GXT)

[9a-S203-3]アモルファス・多結晶InGaOx によるナノシート酸化物半導体トランジスタ

〇(DC)坂井 洸太1、Hwang Sunbin2、Chen Anlan1、Park Ki-woong1、Huang Xingyu1、更屋 拓哉1、平本 俊郎1、髙橋 崇典3、上沼 睦典2、浦岡 行治3、小林 正治1 (1.東大生産研、2.産業技術総合研究所、3.奈良先端科学技術大学院大学)

[9a-S203-4]選択的結晶化による多結晶InGaOx を用いたゲートオールアラウンドナノシート酸化物半導体FET

〇(DC)坂井 洸太1、Chen Anlan1、Park Ki-woong1、Huang Xingyu1、更屋 拓哉1、平本 俊郎1、Hwang Sunbin2、髙橋 崇典3、上沼 睦典2、浦岡 行治3、小林 正治1 (1.東大生産研、2.産業技術総合研究所、3.奈良先端科学技術大学院大学)

[9a-S203-5]ナノシートFETに向けたSiPの分光エリプソメトリー評価

〇熊谷 直人1、入沢 寿史1、林 喜宏1 (1.産総研 SFRC)

[9a-S203-6]Gate-all-around CMOS FET仕事関数金属作り分け検討

〇間部 謙三1、諸田 美砂子1、太田 裕之1、森田 行則1、入沢 寿史1、林 喜宏1 (1.1. 産総研 SFRC)

[9a-S203-7]応答曲面法によるナノシートGAAFET のデバイス設計

〇福田 浩一1、二宮 真理子1、服部 淳一1、林 喜宏1 (1.産総研)

[9a-S203-8]形状シミュレーターを用いた GAAFET プロセスフローの最適化

〇田中 陽子1、間部 謙三1、八木下 淳史1、深沢 正永1、入沢 寿史1、林 喜宏1 (1.産総研 SFRC)

[9a-S203-9]"GCCI SOI-Tr"を利用したゲート入力方式によるIF動作の実証

〇米崎 晴貴1,2、森 貴之1、井田 次郎1 (1.金沢工大、2.キオクシア株式会社)

[9a-S203-10]3次元フラッシュメモリにおけるゲート側注入型書込み動作への構造影響

〇石川 達也1、竹田 裕1、来栖 貴史1 (1.キオクシア株式会社)