セッション詳細
[9a-S203-1~10]13.5 デバイス/配線/集積化技術
2025年9月9日(火) 9:00 〜 11:45
S203 (共通講義棟南)
森 貴洋(産総研)
[9a-S203-1][第58回講演奨励賞受賞記念講演] 選択的H2導入を用いた分子線エピタキシーによる結晶品質改善とGeSn/GeSiSn 共鳴トンネルダイオードの室温動作実証
〇鳥本 昇汰1、石本 修斗1、加藤 芳規1、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2、柴山 茂久1 (1.名大院工、2.名大未来研)
[9a-S203-2]Bi2Te3/n-Ge界面反応挙動の解明とコンタクト特性への影響
〇(M1C)糸尾 光尊1、金 美賢1、畑山 祥吾2、張 文馨2、齊藤 雄太1,2,3 (1.東北大工、2.産総研 SFRC、3.東北大 GXT)
[9a-S203-3]アモルファス・多結晶InGaOx によるナノシート酸化物半導体トランジスタ
〇(DC)坂井 洸太1、Hwang Sunbin2、Chen Anlan1、Park Ki-woong1、Huang Xingyu1、更屋 拓哉1、平本 俊郎1、髙橋 崇典3、上沼 睦典2、浦岡 行治3、小林 正治1 (1.東大生産研、2.産業技術総合研究所、3.奈良先端科学技術大学院大学)
[9a-S203-4]選択的結晶化による多結晶InGaOx を用いたゲートオールアラウンドナノシート酸化物半導体FET
〇(DC)坂井 洸太1、Chen Anlan1、Park Ki-woong1、Huang Xingyu1、更屋 拓哉1、平本 俊郎1、Hwang Sunbin2、髙橋 崇典3、上沼 睦典2、浦岡 行治3、小林 正治1 (1.東大生産研、2.産業技術総合研究所、3.奈良先端科学技術大学院大学)
[9a-S203-6]Gate-all-around CMOS FET仕事関数金属作り分け検討
〇間部 謙三1、諸田 美砂子1、太田 裕之1、森田 行則1、入沢 寿史1、林 喜宏1 (1.1. 産総研 SFRC)
[9a-S203-8]形状シミュレーターを用いた GAAFET プロセスフローの最適化
〇田中 陽子1、間部 謙三1、八木下 淳史1、深沢 正永1、入沢 寿史1、林 喜宏1 (1.産総研 SFRC)