講演情報
[9a-S203-6]Gate-all-around CMOS FET仕事関数金属作り分け検討
〇間部 謙三1、諸田 美砂子1、太田 裕之1、森田 行則1、入沢 寿史1、林 喜宏1 (1.1. 産総研 SFRC)
キーワード：
メタルゲート、実効仕事関数、ゲートオールアラウンドデバイス
本研究では、GAAFET CMOSへの適用を念頭に高誘電率ゲート絶縁膜（HK）上での仕事関数調整金属（WFM）の作り分けプロセス条件（ウェットオーバー量）がゲートスタック特性に与える影響をCV特性から調査。その結果、GAAFET CMOSへの適用に必要なウェットオーバー量（1000～2000%）では顕著なHKダメージなく適切な実効仕事関数（EWF）をえることができた。当日の講演では、ウェット除去時オーバー量のゲートリークへの影響やHK上残存TiのEWFへの影響の物理的要因について議論する予定である。