講演情報
[9p-N101-7]HZO強誘電体メモリと新原理コンピューティングへの展開
〇トープラサートポン カシディット1、劉 振泓1、伊藤 広恭1、高烜 赫東1、趙 成謹1、蔡 作成1、名幸 瑛心1、閔 信義1、鈴木 陸央1、中根 了昌1、竹中 充1、高木 信一1,2 (1.東大院工、2.帝京大先端研)
キーワード：
強誘電体、メモリ、コンピューティング
Hf1-xZrxO2（HZO）強誘電体はCMOSプラットフォーム上で集積でき、低消費電力・微細加工可能という特徴をもったロジック混載不揮発性メモリとして注目を集めている。HZO強誘電体デバイスはメモリ応用だけでなく、自発分極の特徴的な性質を活用して、ノイマン型コンピューティングにとらわれない新原理コンピューティングへの期待も高まる。本講演では、強誘電体HZOデバイスに関する研究動向と我々の研究成果を紹介する。