講演情報
[9p-N105-11]パルスレーザー堆積法によるルチル型GeO2の安定条件と成長メカニズム
〇鈴木 朝也1、坂番 要1、井手 啓介1,2、片瀬 貴義1,2、平松 秀典1,2、細野 秀雄1、神谷 利夫1,2 (1.科学大元素、2.科学大フロ研)
キーワード：
ワイドギャップ酸化物半導体、酸化ゲルマニウム、薄膜成長
pn両型伝導可能な超ワイドギャップ酸化物として、ルチル型GeO2が注目されている。しかし、アモルファス相が容易に形成しやすく、高品質薄膜の作製が困難である。本研究では、パルスレーザー堆積法により成長温度と酸素分圧を制御することで、アモルファス相の形成を抑制しながらr-GeO2エピタキシャル薄膜の成長に成功した。しかし同時に、薄膜の著しい再蒸発が起こることを見出し、薄膜成長メカニズムを明らかにした。