セッション詳細
[9p-N105-1~21]21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
2025年9月9日(火) 13:15 〜 19:00
N105 (共通講義棟北)
[9p-N105-1]減圧ホットウォールMOVPE成長したSiドープβ-Ga2O3ホモエピタキシャル層の結晶性・電気的特性のSi濃度依存性
〇伊庭 義騎1、吉永 純也1,2、窪田 翔海1、寺内 悠真1、尾沼 猛儀3、東脇 正高4,5、伴 雄三郎6、熊谷 義直1 (1.東京農工大院工、2.大陽日酸株式会社、3.工学院大学、4.大阪公立大院工、5.情通機構、6.大陽日酸ATI株式会社)
[9p-N105-2]減圧ホットウォールMOVPE成長したGa2O3薄膜のフォトキャパシタンス測定
〇(M2)森原 淳1、垣尾 宗1、吉永 純也2,3、上村 崇史4、熊谷 義直2、東脇 正高1,4 (1.大阪公立大院工、2.東京農工大院工、3.大陽日酸、4.情通機構)
[9p-N105-3]MBE成長した窒素ドープGa2O3薄膜中の窒素原子の熱拡散
〇(M2)稲嶌 仁1、上原 知起1、辻本 晃基1、寺村 祐輔1、本田 智子1、東脇 正高1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構)
[9p-N105-4]反応性イオンエッチングにより窒素ドープしたn-Ga2O3 (010) 基板の構造および電気的特性評価
〇(M2)峰山 滉正1、東脇 正高1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構)
[9p-N105-5]β-Ga2O3基板表面のGaClエッチングとHVPEホモエピタキシャル成長への影響
〇(M2)角田 チュクダール 健太郎1、木川 孝俊1、大槻 匠2、上村 崇史2、東脇 正高2,3、熊谷 義直1 (1.東京農工大院工、2.情通機構、3.大阪公立大院工)
[9p-N105-6]Ga2O3薄膜のrf窒素プラズマ支援ALD成長とその電気特性評価
〇阿多 翔大1、古川 勝裕1、相馬 永1、吉村 武1、藤村 紀文1 (1.阪公立大工)
[9p-N105-7]Hf系強誘電体/WBG半導体β-Ga2O3界面電子構造の解析
〇古川 勝裕1、阿多 翔大1、吉村 武1、藤村 紀文1 (1.阪公大工)
[9p-N105-8]ダイヤモンド基板上に成膜したエピタキシャル成長β-Ga2O3のS/TEMによる構造解析
〇(M2)御園 樹1、根北 翔1、高 紅叶2、池上 悠登1、Sreenath M. V.1、王 毅心1、片宗 優貴3、A. Zkria1、吉武 剛1 (1.九大院総理工、2.九大超顕微、3.九工大工)
[9p-N105-9]Siドーピングが単結晶ダイヤモンド(111)基板上に成膜したβ-Ga2O3膜の結晶性に与える影響
〇池上 悠登1、Sreenath M. V.1、王 毅心1、御園 樹1、片宗 優貴2、楢木野 宏1、大曲 新矢3、蔭浦 泰資3、A. Zkria1、吉武 剛1 (1.九大総理工、2.九工大工、3.産総研)
[9p-N105-10]高圧を活用したルチル型GeO2薄膜のガラス基板上への作製
〇柴田 敬司1、川村 史朗2、宮川 仁2、遊佐 斉2、山田 直臣1 (1.中部大院工、2.物質・材料研究機構)
[9p-N105-11]パルスレーザー堆積法によるルチル型GeO2の安定条件と成長メカニズム
〇鈴木 朝也1、坂番 要1、井手 啓介1,2、片瀬 貴義1,2、平松 秀典1,2、細野 秀雄1、神谷 利夫1,2 (1.科学大元素、2.科学大フロ研)
[9p-N105-12]ミストCVD法を用いたε-GaFeO3基板上に成膜するκ-Ga2O3薄膜の結晶成長メカニズム
〇(M2)杉元 実鈴1、加納 大成1、上田 修2、西中 浩之1 (1.京工繊大、2.明治大学)
[9p-N105-13]ミストCVDを用いたFドープによるβ-Ga2O3の導電性制御
〇清家 一朗1、三宅 裕樹1,2、西中 浩之1 (1.京工繊大、2.ミライズ)
[9p-N105-14]PLD法によるNbドープ(GaxIn1-x)2O3固溶体の結晶成長及び構造評価
〇(M1)渡邉 允晴1,2、小椋 厚志1,3、知京 豊裕2、長田 貴弘2,1 (1.明大理工、2.物材機構、3.明大MREL)
[9p-N105-15]サファイア基板上rs-MgO薄膜の高温成長
〇木村 航介1、川端 重温1、嶋 紘平2、松尾 浩一3、内田 浩二3、大野 篤史3、高橋 勲4、荒木 努1、秩父 重英2、金子 健太郎4,5 (1.立命館大理工、2.東北大多元研、3.岩崎電気(株)、4.立命館大総研、5.立命館大半導体応用研)
[9p-N105-16]ミストCVD法による選択成長を用いたα-Ga2O3光導波路の検討
〇(M1)豊島 慶大1、神野 莉衣奈1、Pholsen Natthajuks2、岩本 敏1,2 (1.東大先端研、2.東大生研)
[9p-N105-17]傾斜バッファ層/TiO2基板上のルチル構造酸化ゲルマニウムエピタキシャル成長層を用いた縦型Schottky障壁ダイオード
〇鐘ヶ江 一孝1、島添 和樹2、清家 一朗1、西中 浩之1 (1.京都工繊大、2.名工大)
[9p-N105-18]キャリア寿命測定を用いたβ酸化ガリウムのキャリア捕獲準位の評価
〇石原 拓真1、島添 和樹1、佐々木 公平2、加藤 正史1 (1.名工大、2.㈱ノベルクリスタルテクノロジー)
[9p-N105-19]積層欠陥・マイクロクラック・転位網組み合わせの(001)面方位HVPEβ型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードキラー欠陥
〇(M1)佐藤 誠1、江口 正徳2、サハ ニロイ チャンドラ1、ラオ バダリ3、林 家弘3、佐々木 公平3、嘉数 誠1 (1.佐賀大院理工、2.佐賀大シンクロトロン、3.(株)ノベルクリスタル)
[9p-N105-20]燃料電池セパレータ用の水溶液出発NbドープTiO₂薄膜
〇(M2)中村 彩夏1、内藤 蓮人1、有賀 恵美1、簾 智仁2、中山 亮2、清水 亮太3、金子 健太郎4、一杉 太郎2、山田 直臣1 (1.中部大院工、2.東大院理、3.分子科学研究所、4.立命館大総研)
[9p-N105-21]ミストCVD法によるアモルファスTiOxへのLiイオン注入・拡散とLIB特性
〇(M1)小林 史弥1、白井 肇2,3、栗原 英紀4、山本 孔明5、何 海燕5、曽根 宏隆4、佐藤 知正2、大野 俊典5 (1.神奈川大工、2.神奈川大工研、3.埼玉大理工、4.埼玉県産業技術総合センター、5.(株)天谷製作所)