講演情報
[9p-N105-5]β-Ga2O3基板表面のGaClエッチングとHVPEホモエピタキシャル成長への影響
〇(M2)角田 チュクダール 健太郎1、木川 孝俊1、大槻 匠2、上村 崇史2、東脇 正高2,3、熊谷 義直1 (1.東京農工大院工、2.情通機構、3.大阪公立大院工)
キーワード：
結晶成長、ワイドバンドギャップ半導体
β-Ga2O3はその高い絶縁破壊電界強度から次世代パワーデバイス材料として期待され、デバイス作製のためにホモエピタキシャル層成長が各種手法で検討されている。当グループでは、HVPE法を用いた高純度層の高速成長及びn型導電性制御を報告してきた。しかし、β-Ga2O3には適当な化学エッチャントがなく、成長法に依らず基板表面にSi汚染や加工傷が残留してしまう問題がある。そこで今回、HVPE成長におけるGa源であるGaClによる基板表面のin situエッチングの可否を熱力学解析および実験により検討し、GaClエッチングによってホモエピタキシャル成長層の結晶性が向上することが分かったので報告する。