講演情報
[9p-N107-14]水素化／脱水素化反応にともなう金属-半導体相変化による光・電気・熱物性制御薄膜の開発(9):
NiO, NdNiO3薄膜の電気化学的手法による物性制御
〇岡本 晏1、池田 果歩1、キム ミンソク1、小口 有希1、重里 有三1 (1.青学大理工)
キーワード：
NdNiO3、NiO、水素化／脱水素化反応
NdNiO3は強相関酸化物であり、金属-絶縁体相転移に伴い光学・電気物性が大幅に変化する。これを制御することでエレクトロクロミック材料としての応用が期待される。NiOも高い着色効率をもつエレクトロクロミック材料であるが、NdNiO3と比較して酸化還元反応に伴う電気伝導率変化が小さい。本研究ではRFスパッタリングによりNiO薄膜とNdNiO3薄膜を作製し、電気化学的なプロトン注入による金属-絶縁体相転移に伴う光学・電気物性の変化を明らかにした。