講演情報

[9p-N107-8]水素化/脱水素化にともなう金属-半導体相変化による光・電気・熱物性制御薄膜の開発 (3):
YMgHx薄膜における反応速度の温度依存性解析

〇村上 彰啓1、シュー ガイブン1、キム ミンソク1、鈴木 正1、重里 有三1 (1.青学大理工)

キーワード:

Y-Mg合金薄膜、水素化/脱水素化反応速度、Johnson-Mehl-Avrami (JMA) モデル