[9p-N107-1~14] 6.4 薄膜新材料

15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[9p-N107-9] 水素化/脱水素化反応にともなう金属-半導体相変化による光・電気・熱物性制御薄膜の開発(4):NiMgH_x薄膜における反応速度の温度依存性解析

〇三野 大¹、シュー ガイブン¹、キム ミンソク¹、鈴木 正¹、重里 有三¹ (1.青学大理工)

キーワード：

Ni-Mg合金薄膜、水素化／脱水素化反応速度、Johnson-Mehl-Avrami (JMA) モデル