講演情報

13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[9p-N201-2]SnS/SnSe人工超格子の創製と分極状態の評価

〇(M1C)望月順平¹、奥村匡紀¹、小笠原圭彦²、横田紘子²、近藤真矢¹、山田智明^1,3 (1.名大工、2.科学大、3.科学大MDX)

キーワード：

強誘電体、二次元層状物質、パルスレーザー堆積

本研究では，極薄SnSに発現する強誘電特性を維持したまま膜厚を増加させるために，SnSとSnSeを交互に積層した人工超格子を創製するという新たなアプローチを考えた．SrF2(100)基板上に[(SnS)_n/(SnSe)_n]_m (n = 0.2, 1, 2, 3, 4, 5)を成膜した．大きな第二高調波強度が得られたことから，これらの試料が強誘電性を示す可能性があることが明らかになった．

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