2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)6 薄膜・表面：6.1 強誘電体薄膜

[9p-N201-1~14]6.1 強誘電体薄膜

2025年9月9日(火) 13:30 〜 17:15
N201 (共通講義棟北)
13:30 〜 13:45

[9p-N201-1]チタン石型Ca(Ti,Zr)SiO5薄膜の作製と評価

〇倉橋 哲史1、梶原 輝1、楊 威嶸1、谷口 博基2、桑野 太郎1、小林 能直1、安井 伸太郎1 (1.Science Tokyo、2.名大)
13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[9p-N201-2]SnS/SnSe人工超格子の創製と分極状態の評価

〇(M1C)望月 順平1、奥村 匡紀1、小笠原 圭彦2、横田 紘子2、近藤 真矢1、山田 智明1,3 (1.名大工、2.科学大、3.科学大MDX)
14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[9p-N201-3]強誘電体薄膜における非反転分極の起源

〇宇佐美 潤1、岡本 有貴1、井上 悠1、小林 健1、山田 浩之1 (1.産総研)
14:15 〜 14:30

[9p-N201-4]単結晶LiTaO3の焦電ヒステリシスカーブの非対称効果

〇宇佐美 潤1、平永 良臣2、山田 浩之1 (1.産総研、2.東北大)
14:30 〜 14:45

[9p-N201-5]ナノ電極C–V測定による強誘電特性評価

〇平永 良臣1、長 康雄2 (1.東北大通研、2.東北大未来科学)
14:45 〜 15:00

[9p-N201-6]自発分極方位と抗電界の関係についての幾何学的考察とEKAIモデル

〇酒井 滋樹1,2、高橋 光恵1 (1.産総研、2.九工大)
15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[9p-N201-7](111)エピタキシャルPb(Zr0.65Ti0.35)O3薄膜の電圧パルス印加による屈折率のメモリスティブな変化の検証

〇(M1C)高橋 夏輝1、村井 俊哉2、高 磊2、近藤 真矢1、山田 智明1 (1.名大工、2.産総研)
15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[9p-N201-8]Pb(Zr0.65Ti0.35)O3薄膜の強弾性ドメインを用いた電気光学メモリスタ動作の検証

〇Hao He1、近藤 真矢1、Yuan Xueyou1、山田 智明1 (1.名大工)
15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[9p-N201-9]ストレインエンジニアリングによるc軸配向BaTiO3薄膜の電気光学効果の向上

〇(M1)澤木 陽向1、近藤 真矢1、山田 智明1,2 (1.名大工、2.科学大MDX)
16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[9p-N201-10]高品質HSQマスク法BiFe0.9Co0.1O3ナノドットのドメイン構造評価

〇(M2)中山 創1、吉川 浩太1、Lee Koomok1、角嶋 邦之2、星井 拓也2、金子 智3、安井 学3、黒内 正仁3、北條 元4、重松 圭1,3、東 正樹1,3 (1.東京科学大総合研究院、2.東京科学大工学院、3.神奈川産技総研、4.九大総理工)
16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[9p-N201-11]リング電極を用いたBiFe0.9Co0.1O3薄膜のトポロジカルドメイン制御

〇前田 慶1、Lee Koomok1、松浦 伊吹1、中山 創1、重松 圭1,2、東 正樹1,2 (1.科学大フロンティア材料研、2.神奈川県立産業技術総合研究所)
16:30 〜 16:45

[9p-N201-12]非鉛圧電薄膜を用いた磁界応答型MEMS振動子による無線給電Ⅱ

〇藤原 輝羅1、Sengsavang Aphayvong1、高城 明佳1、村上 修一2、山根 秀勝2、山本 世翔3、木内 万里夫3、藤村 紀文1、吉村 武1 (1.阪公大工、2.大阪技術研、3.住友精密工業株式会社)
16:45 〜 17:00

[9p-N201-13](K,Na)NbO3スパッタエピタキシャル薄膜の直流バイアスによるkt2値の向上

〇(M2)張 創昇1,2、内田 拓希1,2、島野 耀康1,2、柳谷 隆彦1,2 (1.早大先進理工、2.材研)
17:00 〜 17:15

[9p-N201-14]強誘電体プローブメモリにおける瓦書き

〇長 康雄1、平永 良臣2 (1.東北大未来科学、2.東北大通研)
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