[9p-N201-1~14] 6.1 強誘電体薄膜

15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[9p-N201-7] (111)エピタキシャルPb(Zr_0.65Ti_0.35)O₃薄膜の電圧パルス印加による屈折率のメモリスティブな変化の検証

〇(M1C)高橋 夏輝¹、村井 俊哉²、高 磊²、近藤 真矢¹、山田 智明¹ (1.名大工、2.産総研)

キーワード：

強誘電体、光メモリスタ、エピタキシャル薄膜

本研究では光信号を用いた不揮発的な情報処理を可能とする光メモリスタの開発を目的とし、Pb(Zr_0.65Ti_0.35)O₃ (PZT)薄膜の屈折率制御を試みた。大電界印加による初期化と小電界の複数回印加による変調により屈折率を段階的に変化させ、光干渉計を用いてその変化を読み取った。その結果、屈折率のメモリスティブな変化が明らかとなり、PZT薄膜の光メモリスタへの利用可能性が示された。