講演情報
[9p-N205-8]In、Si共添加によるZnGa2O4:Cr3+遠赤色蛍光体の発光特性の改善
〇丸山 美輔1,2、阿部 友紀1,3、杉本 彪瑠1,3、山本 健幹1,2、芦野 貴大1,2、大観 光徳1,2 (1.鳥取大工、2.電子物理工学研究室、3.光半導体工学研究室)
キーワード：
ZnGa₂O₄:Cr³⁺、蛍光体、薄膜
これまで我々は、700nm付近で遠赤色発光を示すZnGa2O4:Cr3+粉末試料の発光特性改善のためInをドーピングし、最適濃度を検討した。その結果、ZnGa1.98-xInxO4:Cr3+0.02(x=0.08)粉末の 1350℃,5h 焼成試料で、混晶化と結晶成長が確認でき、発光強度は約1.5 倍に増加していた。しかし薄膜での導電性がみられなかったので、導電性の発現とさらなる発光特性の改善を目指して、新たにSi をドーピングした。その結果、InとSiの共添加によって、大幅に発光特性が改善することが分かった。