講演情報
[9p-N206-12]ミストCVD法による炭素ドープしたジルコニア（ZrOx）薄膜のCeRAM向け非極性スイッチング特性
〇吾妻 正道1,2、宮本 翼1、西中 浩之1 (1.京都工繊大、2.シンメトリクス)
キーワード：
CeRAM（強相関電子ランダムアクセスメモリ）、炭素ドープ、ジルコニア（ZrOx）薄膜
炭素をドープした二酸化ハフニウムなどの遷移金属酸化物薄膜は、電圧印加時にモット転移に起因すると考えられる非極性金属-絶縁体スイッチング現象を示す。この現象を利用した抵抗変化型メモリとして、強相関電子ランダムアクセスメモリ（CeRAM）が提案されている。本稿では、大気圧下での成膜が可能なミストCVD法を用いて炭素ドープジルコニア（ZrOx）薄膜を作製し、初めて非極性金属-絶縁体スイッチング現象を確認したので報告する。