2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)6 薄膜・表面：6.3 酸化物エレクトロニクス

[9p-N206-1~15]6.3 酸化物エレクトロニクス

2025年9月9日(火) 13:30 〜 17:45
N206 (共通講義棟北)
13:30 〜 13:45奨励賞エントリー

[9p-N206-1]van der Waals物質hBN上に成長したTi2O3薄膜の金属絶縁体転移

〇(M1)菅野 圭太朗1、相馬 拓人1、深町 悟2、吾郷 浩樹2、大友 明1、吉松 公平1 (1.科学大物質理工、2.九州大)
13:45 〜 14:00

[9p-N206-2]硬X線光電子分光によるλ相Ti3O5薄膜の金属絶縁体転移の観測

〇吉松 公平1、保井 晃2 (1.東京科学大物質理工、2.高輝度光科学研究センター)
14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[9p-N206-3]ScドープアモルファスGaOxメモリスタの高温特性評価

〇小溝 優希1、DIAO ZHUO1、藤平 哲也1、酒井 朗1 (1.大阪大基礎工)
14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[9p-N206-4]アモルファスGaOxメモリスタにおける抵抗変化挙動の半導体物理モデルによる解析

〇(M2)小倉 璃音1、Diao Zhuo1、藤平 哲也1、酒井 朗1 (1.阪大院基礎工)
14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[9p-N206-5]Pt/Nb:SrTiO3接合における特性制御に向けたアニールによる界面状態の調整

〇(M2)瀬戸 大雅1、鄭 雨萌1、木下 健太郎1 (1.東理大先進工)
15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[9p-N206-6]SrTiO3 自立膜チャネルFET の作製と動作実証

〇(M2)田中 嵩祐1,2、井上 悠2、鬼頭 愛2、田村 雅史1、井上 公1,2 (1.東理大創域理工、2.産総研)
15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[9p-N206-7](La1-xSrx)VO3/p-Si接合における空乏層容量の電圧依存性の評価

〇藤谷 海斗1、岩崎 光志1、橋本 收平1、高木 亮佑1、堀田 育志1 (1.兵庫県立大工)
15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[9p-N206-8](La1-xSrx)VO3/n-Si接合の作製と電流-電圧特性の評価

〇(M1)岩崎 光志1、高木 亮佑1、橋本 收平1、藤谷 海斗1、堀田 育志1 (1.兵庫県立大工)
15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[9p-N206-9]水素ガス圧に対するVO2相変化の研究

〇浜砂 智1、矢嶋 赳彬1 (1.九大)
16:00 〜 16:15

[9p-N206-10]ミストCVD法により作製したVO2薄膜の冷却速度による結晶相制御

〇高山 大輝1、藤沢 浩訓1、中嶋 誠二1、大坂 藍1 (1.兵庫県大工)
16:30 〜 16:45

[9p-N206-11]VO₂単結晶における非線形伝導特性を利用した電流発振

〇門脇 亮汰1、今和泉 晶仁2、中埜 彰俊2、寺崎 一郎2、中村 優斗1、岸田 英夫1 (1.名大院工、2.名大院理)
16:45 〜 17:00

[9p-N206-12]ミストCVD法による炭素ドープしたジルコニア（ZrOx）薄膜のCeRAM向け非極性スイッチング特性

〇吾妻 正道1,2、宮本 翼1、西中 浩之1 (1.京都工繊大、2.シンメトリクス)
17:00 〜 17:15

[9p-N206-13]酸化ニッケルおよび酸化ガリウムスズ薄膜の局所抵抗変化比較

〇(B)町 将太1、三上 創太1、吾妻 正道3、山田 啓文2、木村 睦1、河西 秀典1、西中 浩之3、宮戸 祐治1 (1.龍谷大 先端理工、2.龍谷大 科技研、3.京都工繊大 院工芸)
17:15 〜 17:30

[9p-N206-14]単結晶NiOエピタキシャル薄膜の熱伝導率と熱スイッチ応用の可能性

〇ジョン アロン1、竹田 大翔2、吉村 充生3、太田 裕道1 (1.北大電子研、2.北大工学部、3.北大院情報)
17:30 〜 17:45

[9p-N206-15]次世代微細配線に向けたPdCoO2のスパッタ成長

〇原田 尚之1、長井 拓郎1、政広 泰2、蒲 保典2 (1.NIMS、2.田中貴金属工業)
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