講演情報
[9p-N206-13]酸化ニッケルおよび酸化ガリウムスズ薄膜の局所抵抗変化比較
〇(B)町 将太1、三上 創太1、吾妻 正道3、山田 啓文2、木村 睦1、河西 秀典1、西中 浩之3、宮戸 祐治1 (1.龍谷大 先端理工、2.龍谷大 科技研、3.京都工繊大 院工芸)
キーワード：
酸化ニッケル、酸化ガリウムスズ、導電性AFM
本研究では、次世代不揮発性メモリへの応用が期待される酸化ニッケル（NiO）および酸化ガリウムスズ（GTO）薄膜に対し、電圧印加を行うことで生じる局所的な表面抵抗の変化を、導電性原子間力顕微鏡（c-AFM）によりその場観察した。両薄膜に対し、c-AFMで取得した電流像および局所I–V特性を比較したところ両者に違いがあった。これは、NiOとGTOの抵抗変化機構の違いによるものと考えられる。