講演情報
[9p-N206-5]Pt/Nb:SrTiO3接合における特性制御に向けたアニールによる界面状態の調整
〇(M2)瀬戸 大雅1、鄭 雨萌1、木下 健太郎1 (1.東理大先進工)
キーワード：
抵抗変化メモリ、電流緩和現象、界面状態
金属/Nb:STO接合において、電流緩和特性やメモリ性能は界面準位に依存すると考えられる。本研究では、異なる界面処理を施した素子に対し、コンダクタンス法とICTS法により界面準位を評価し、酸素欠陥の影響を調査した。結果、酸素欠陥が増加すると界面準位密度が高まり、電流緩和やメモリ性能が向上した。特に、電流緩和は界面準位での電子の捕獲・放出に起因することが示唆された。