[9p-N221-1~14] 3.10 フォトニック構造・現象

14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[9p-N221-4] 表面電極下部への非放射領域形成に向けた非エルミート結合係数分布を導入したフォトニック結晶レーザーの作製

〇(M2)奥田 功太郎¹、吉田 昌宏¹、勝野 峻平²、井上 卓也¹、De Zoysa Menaka¹、石崎 賢司¹、野田 進^1,2 (1.京大院工、2.京大高等研究院)

キーワード：

フォトニック結晶レーザー、フォトニック結晶、半導体レーザー

フォトニック結晶レーザー（PCSEL）は、2次元フォトニック結晶のバンド端共振効果を利用した面発光型高輝度半導体レーザーである。直径3~10mm級の大面積PCSELでは、出射面側電極による遮蔽損失が課題である。今回、遮蔽損失低減のためのPCSELへの非放射領域導入に向けて、非エルミート結合係数μの面内分布導入のためのプロセス開発と、μに面内分布を導入した直径1mmPCSELを試作したので報告する。