講演情報

13:30 〜 14:00

[9p-N301-1][分科内招待講演] 微分位相コントラストSTEMによる半導体界面の電場・電荷直接観察

〇遠山慧子¹、関岳人¹、柴田直哉^1,2 (1.東大工、2.JFCC)

走査透過電子顕微鏡法、窒化ガリウム

半導体材料において，ナノスケールの電場・電荷分布計測は非常に重要である．本研究では微分位相コントラスト走査透過電子顕微鏡法を高度化し，界面電磁場の定量評価を可能にした．講演では本手法を用いたGaN系半導体二次元電子ガスの観察などを紹介する．