セッション詳細

[9p-N301-1~19]15.4 III-V族窒化物結晶

2025年9月9日(火) 13:30 〜 19:00
N301 (共通講義棟北)

[9p-N301-1][分科内招待講演] 微分位相コントラストSTEMによる半導体界面の電場・電荷直接観察

〇遠山 慧子1、関 岳人1、柴田 直哉1,2 (1.東大工、2.JFCC)

[9p-N301-2]極性反転AlN結晶のTilt-scan DPC-STEMによる電場可視化解析

〇冨谷 茂隆1、赤瀬 善太郎1、岩満 一功1、安原 聡2、玉野 智大3、赤池 良太3、三宅 秀人3 (1.奈良先端大、2.日本電子、3.三重大)

[9p-N301-3]誘導ラマン散乱を用いたGaN結晶中転位の高速3Dイメージング

〇高橋 俊1、若本 裕介1、車 一宏2、前田 拓也1、小関 泰之1,2 (1.東大院工、2.東大先端研)

[9p-N301-4]異なる結晶系で成長させたヘテロ接合半導体の応力評価と歪み成分解析

〇澁田 彼方1、小柴 俊1、田中 康弘1、寺林 優1、秋山 英文2 (1.香川大院工、2.東京大学物性研)

[9p-N301-5]非極性面スパッタアニールAlN上に成長したAlGaNの転位構造の評価

〇安永 弘樹1,2、赤池 良太2,3、大矢 健世3、森 新之助3、中村 孝夫2,3、三宅 秀人2,3 (1.三重大 研基機構、2.三重大 半導体デジタル未来創造センター、3.三重大 院工)

[9p-N301-6]窒化ガリウムにイオン注入したプラセオジムのX線吸収微細構造

〇佐藤 真一郎1、横塚 恵莉1、圓谷 志郎1、長澤 尚胤1、齋藤 寛之1、辻 卓也2、松村 大樹2、伊藤 慎3、出来 真斗3、本田 善央3、天野 浩3、新田 州吾4、Boćkowski Michał5 (1.QST、2.原子力機構、3.名古屋大学、4.三重大学、5.ポーランド科学アカデミー)

[9p-N301-7]GaN 系THz-QCL の3準位ダブルLOフォノン散乱機構の解析

〇矢部 航輝1,2、高橋 瞳瑠1,2、金子 瑛1,2、藤川 紗千恵2,1、矢口 裕之2、シャシャンク ミシュラ1、平山 秀樹1 (1.理研、2.埼玉大)

[9p-N301-8]GaNトンネル接合におけるn++、p++-GaN各層のバンドギャップ内準位評価

〇近藤 泉樹1、廣瀬 礼也1、長田 和樹1、今井 大地1、竹内 哲也1、宮嶋 孝夫1 (1.名城大院理工)

[9p-N301-9]サブナノ秒パルスレーザを用いたポンプ・プローブ法ラマン分光によるGaNの時間分解熱輸送解析方法の検討

〇(D)石井 悠介1、Thee Ei Khaing Shwe1、角谷 正友2、岩谷 素顕3、飯田 大輔4、大川 和宏4、馬 蓓1、石谷 善博1 (1.千葉大院工、2.物材研、3.名城大、4.KAUST)

[9p-N301-10]光ヘテロダイン光熱変位法を用いたGaNの非発光再結合過程の評価

〇細越 裕太1、本田 善央2、福山 敦彦1 (1.宮崎大工、2.名古屋大工)

[9p-N301-11]高濃度炭素ドープGaN層中の欠陥評価

〇(M2)稲吉 桃子1、本田 杏奈2、渡邉 浩崇2、本田 善央2、加藤 剛志2、田岡 紀之1、竹内 和歌奈1 (1.愛知工大、2.名古屋大)

[9p-N301-12]石英フリーハライド気相成長法によるGaN結晶に対する光学特性評価

〇門内 勇樹1、藤倉 序章2、今野 泰一郎2、金木 奨太2、佐野 昂志1、市川 修平1,3、田畑 博史1、小島 一信1 (1.阪大院工、2.住友化学株式会社、3.阪大電顕センター)

[9p-N301-13]電子線照射GaNのルミネッセンス評価

〇嶋 紘平1、堀田 昌宏2,3、須田 淳2,3、石橋 章司4、上殿 明良5、秩父 重英1 (1.東北大多元研、2.名大工、3.名大IMaSS、4.筑波大CCS、5.筑波大数物系)

[9p-N301-14]VSL法を用いたHVPE成長AlN基板の極低温下E || c 励起子モード利得と伝搬損失の定量

〇池島 拓海1、石井 良太1、船戸 充1 (1.京大院工)

[9p-N301-15]BGaN混晶のラマン分光評価によるA1(LO)モードの周波数の温度依存性解析

〇浦澤 裕哉1、林 敦景2、竹中 壮太郎2、石井 悠介1、馬 蓓1、中野 貴之2、石谷 善博1 (1.千葉大工、2.静岡大工)

[9p-N301-16]InGaN光電極とNiO助触媒界面のバンドアライメント

〇山下 雄大1、熊倉 一英1、平間 一行1、谷保 芳孝1 (1.NTT物性研)

[9p-N301-17]時間分解発光測定によるInGaN量子井戸におけるキャリア拡散の温度変化測定

〇伊藤 央祐1、秋山 航太郎1、櫻井 裕太1、山口 敦史1、福井 まいこ2、濱口 達史3,4 (1.金沢工大、2.ETH、3.九大、4.三重大)

[9p-N301-18]PCAを用いたInGaN量子井戸CL発光空間構造の解析

〇(M2)福 隆之介1、赤瀬 善太郎1、岩満 一功1、冨谷 茂隆1 (1.奈良先端大)

[9p-N301-19]InGaN量子井戸の時間分解フォトルミネッセンス発光減衰挙動に対するベイズ推論解析

〇岩満 一功1、新保 樹2、赤瀬 善太郎1、横川 俊哉1、山口 敦史2、冨谷 茂隆1 (1.奈良先端大、2.金沢工大)