講演情報
[9p-N302-2]深いX線トポグラフィーによる4H-SiCの貫通らせん転位の傾斜構造の解析
〇石地 耕太朗1、米山 明男1、鎌田 功穂2 (1.九州シンクロ、2.電中研)
キーワード：
X線トポグラフィー、SiC結晶、転位解析
結晶内深くを観察できるX線トポグラフィー法(deep XRT)によって、SiC結晶の貫通らせん転位(TSD)を観察した。Deep XRTではTSD芯線の歪み場が強調されて投影された。投影イ メージから実際のTSDの傾斜構造の解析手続きを提示し、実際のTSDの傾斜角度と傾斜方位を見積もった。さらに、TSDの混合成分を求め、傾斜構造と混合成分の関係性について言及した。