[9p-N302-1~6] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

14:45 〜 15:00

[9p-N302-6] シリコン結晶中の低濃度炭素の測定/ルネッサンス (31)電子線誘起CiOi,CiCsの挙動とフォトルミネッセンス

〇井上 直久¹、奥田 修一¹、川又 修一¹ (1.大阪公大 放射線研究センター)

キーワード：

シリコン結晶、炭素濃度、光学評価

LSI時代には酸素が問題であった。2000年代にパワーデバイス時代となり照射誘起炭素複合体CiOiの制御が課題となった。炭素、酸素、B等の濃度や照射総線量、線量と照射時間を全て一定にする。複合体生成・消滅・並行・競合は他の不純物濃度に依る。我々は赤外吸収でほぼ全ての挙動を解明してきた。フォトルミでは定量性が課題で、炭素濃度測定には他不純物の濃度測定が必要で照射条件が決められない。