講演情報

14:00 〜 14:15

[9p-N303-3]ダイヤモンドNVセンターを用いたグラフェンFETの電流磁場分布測定

〇(D)西原一樹¹、吉川颯真¹、秋田成司¹、有江隆之¹ (1.大阪公立大学大学院工)

量子センシング、グラフェン、FET

ダイヤモンドNVセンターを用いた電流磁場測定により、Si基板上のグラフェンFET電極内の電流磁場分布を可視化した。簡便な構成で既存デバイスに適用可能であり、今後チャネル内の詳細評価への展開が期待される。