セッション詳細

[9p-N303-1~10]KS.1 固体量子センサ研究会

2025年9月9日(火) 13:30 〜 16:15
N303 (共通講義棟北)

[9p-N303-1][第58回講演奨励賞受賞記念講演] ダイヤモンドNV中心による光電流検出磁場センシング法の最適化

〇重松 英1,2、八尾 肇1、森岡 直也1,2、西川 哲理1,2、森下 弘樹3,4、小野田 忍5、阿部 浩之5、大島 武5,6、水落 憲和1,2 (1.京大化研、2.京大CSRN、3.東北大CSIS、4.東北大WPI AIMR、5.量研、6.東北大院工)

[9p-N303-2]高圧合成ダイヤモンド結晶中のNVセンタ―の電荷状態およびRabiコントラスト分布

〇増山 雄太1、真栄 力2,3、阿部 浩之1、谷口 尚2、寺地 徳之2 (1.QST、2.NIMS、3.筑波大)

[9p-N303-3]ダイヤモンドNVセンターを用いたグラフェンFETの電流磁場分布測定

〇(D)西原 一樹1、吉川 颯真1、秋田 成司1、有江 隆之1 (1.大阪公立大学大学院工)

[9p-N303-4]走査NV中心顕微鏡を用いた連続波電子スピン二重共鳴による微細回路のMHz帯交流磁場イメージング

〇小室 俊太郎1,2、大倉 和真1,2、岡庭 龍聖1,2、林 都隆3、安 東秀3、早瀬 潤子1,2 (1.慶大理工、2.慶大CSRN、3.北陸先端大)

[9p-N303-5]ダイヤモンド中の転位のストレステンソルイメージング

〇(PC)辻 赳行1、原田 俊太2、寺地 徳之1 (1.物材機構、2.名古屋大)

[9p-N303-6]ヘテロエピCVDダイヤモンド量子センサによる±1000Aの電流計測

〇波多野 雄治1、梶山 健一1、春山 盛善2、加藤 宙光2、小倉 政彦2、牧野 俊晴2、野口 仁3、谷川 純也4、中園 晃充1、関口 武治1、関口 直太1、岩﨑 孝之1、波多野 睦子1 (1.科学大工、2.産総研、3.信越化学、4.矢崎総業)

[9p-N303-7]マイクロ波照射用導波路下の4H-SiC結晶中シリコン空孔のスピン特性

〇田村 伸一1、田原 康佐1、遠山 晴子1、朽木 克博1、山崎 雄一2、大島 武2,3 (1.豊田中研、2.QST、3.東北大)

[9p-N303-8]4H-SiC中単一シリコン空孔の電気的スピン検出と光電流生成経路の決定

〇西川 哲理1、森岡 直也1,2、阿部 浩之3、村田 浩一4、岡島 和希1、大島 武3,5、土田 秀一4、水落 憲和1,2,6 (1.京大化研、2.京大CSRN、3.量研、4.電中研、5.東北大、6.QUP KEK)

[9p-N303-9]4H-SiC中単一スピンの高感度光電流検出の実現

〇西川 哲理1、森岡 直也1,2、阿部 浩之3、村田 浩一4、岡島 和希1、大島 武3,5、土田 秀一4、水落 憲和1,2,6 (1.京大化研、2.京大CSRN、3.量研、4.電中研、5.東北大、6.QUP KEK)

[9p-N303-10]Investigation of photocurrent excitation wavelength dependence of a single V2 center in 4H-SiC

〇(DC)Kazuki Okajima1, Naoya Morioka1,2, Tetsuri Nishikawa1, Hiroshi Abe3, Koichi Murata4, Takeshi Ohshima3,5, Hidekazu Tsuchida4, Norikazu Mizuochi1,2,6 (1.Kyoto Univ., 2.CSRN Kyoto Univ., 3.QST, 4.CRIEPI, 5.Tohoku Univ., 6.QUP KEK)