講演情報
[9p-N303-7]マイクロ波照射用導波路下の4H-SiC結晶中シリコン空孔のスピン特性
〇田村 伸一1、田原 康佐1、遠山 晴子1、朽木 克博1、山崎 雄一2、大島 武2,3 (1.豊田中研、2.QST、3.東北大)
キーワード：
量子センサ、炭化ケイ素
シリコンカーバイド（SiC）デバイス構造を想定した量子センサを、4H-SiC結晶内のシリコン空孔（VSi）を用いて開発し、そのスピン特性を評価した。金属薄膜パターンを用いたマイクロ波導波路を形成し、任意のVSiに対してマイクロ波照射を行う技術を確立した。ODMR測定、Rabi振動、Spin Echo測定を実施し、スピンの応答特性やスピン-スピン緩和時間（T2）を明らかにした。これにより、将来的にSiCデバイスの故障予知への応用が期待される。