[9p-N304-1~15] KS.2 量子情報工学研究会

14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[9p-N304-4] 電圧パルス印加によるシリコン量子ドット二準位ゆらぎのスイッチング特性変調

〇(DC)松岡 竜太郎¹、溝口 来成¹、米田 淳²、小寺 哲夫¹ (1.Science Tokyo、2.東大新領域)

キーワード：

シリコン量子ビット、電荷ノイズ