講演情報
[9p-N305-9]スズ系ペロブスカイトCsSnBr3バルク結晶の成膜とLED応用
〇上條 蓮1、柿崎 紗那1、溝口 翔希1、千葉 貴之1 (1.山形大院有機)
キーワード：
ペロブスカイト、半導体
スズ(Sn) は鉛と類似した価電子配置とイオン半径を持つことから、ペロブスカイト中の鉛の代替元素として注目されている。本研究では、前駆体溶液からCsSnBr3のバルク結晶を塗布成膜し、LEDデバイスへと応用した。得られた薄膜は、目視レベルで確認できる深赤色発光を示し、LEDとして駆動することに成功した。しかし、結晶の被覆率の低さによる、電流のリークが課題となったため、組成制御を行うことで大粒径かつ緻密膜の形成を試みた。