[9p-N321-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

16:30 〜 16:45

[9p-N321-12] AlGaNバッファー層を用いたQST基板上のBGaN成長における歪の評価

〇林 敦景¹、西川 瞬¹、小久保 瑛斗²、若林 源一郎³、本田 善央⁴、天野 浩⁴、井上 翼¹、青木 徹⁵、中野 貴之^1,5 (1.静大院工、2.名大院工、3.近大原研、4.名大IMaSS、5.静大電研)

キーワード：

BGaN、QST基板、中性子検出器