セッション詳細
[9p-N321-1~17]15.4 III-V族窒化物結晶
2025年9月9日(火) 13:30 〜 18:15
N321 (共通講義棟北)
[9p-N321-1]酸素濃度を低減したOVPE-GaNの熱物性評価
〇浅生 晃聖1、宇佐美 茂佳1、今西 正幸1、丸山 美帆子1、滝野 淳一2、隅 智亮2、岡山 芳央2、吉村 政志3、秦 雅彦4、伊勢村 雅士5、森 勇介1 (1.阪大院工、2.パナソニックホールディングス(株)、3.阪大レーザー研、4.伊藤忠プラスチックス(株)、5.(株)創晶應心)
[9p-N321-2]Naフラックス法におけるGa2O3誘起ファセット成長を活用したGaN結晶の転位密度低減
〇今西 正幸1、奥村 加奈子1、垣之内 啓介1、植田 光寿1、川畑 健一1、村上 航介1、宇佐美 茂佳1、森 勇介1 (1.阪大院工)
[9p-N321-3]Naフラックス法におけるファセット成長後のGaN結晶平坦化及び低転位密度化
〇鷲田 将吾1、今西 正幸1、佐々木 稜太郎1、村上 航介1、宇佐美 茂佳1、丸山 美帆子1、吉村 政志1,2、森 勇介1 (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)
[9p-N321-4]ナノテンプレート選択成長法によるSi(111)基板上への 200 nm 以下の短周期窒化物ナノコラム成長
〇織間 裕悟1、星野 航太1、富樫 理恵1、岸野 克巳1 (1.上智大理工)
[9p-N321-5]スパッタ法によるSiドープGaN薄膜の成長
〇(M2)齋藤 明紀1、金武 凜樹1、小林 大希1、山田 直臣1 (1.中部大院工)
[9p-N321-6]GaNスパッタ薄膜のモザイク性の改善
〇(M1)金武 凜樹1、齋藤 明紀1、山田 直臣1 (1.中部大工)
[9p-N321-7]Si 含有GaN ターゲットを用いた低抵抗n 型GaN 薄膜の作製と評価
〇常盤 美怜1、板東 廣朗1、三崎 日出彦1、上岡 義弘1、召田 雅実1 (1.東ソー(株))
[9p-N321-8]高濃度ドナー添加縮退GaNに対するノンアロイ接触金属の検討
〇岡部 耕平1、内藤 愛子1、上野 耕平1、藤岡 洋1 (1.東大生研)
[9p-N321-9]ScAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造の電気特性へのScAlN成長温度の影響
〇奥田 朋也1、前田 拓也2、河原 孝彦3、牧山 剛三3、中田 健3、池田 和久1、小林 篤1 (1.理科大院先進工、2.東大院工、3.住友電工)
[9p-N321-10]スパッタ法でn型GaN上にエピタキシャル成長させたScAlNの強誘電性
〇佐藤 早和紀1、若本 裕介2、前田 拓也2、舟窪 浩3、上野 耕平4、藤岡 洋4、池田 和久1、小林 篤1 (1.理科大院先進工、2.東大院工、3.科学大物院、4.東大生研)
[9p-N321-11]反応性RFスパッタリングによるSiC基板上への格子整合AlBN強誘電体高品質膜の成長
〇白石 健1、三上 杏太1、木本 恒暢1、金子 光顕1 (1.京大院工)
[9p-N321-12]AlGaNバッファー層を用いたQST基板上のBGaN成長における歪の評価
〇林 敦景1、西川 瞬1、小久保 瑛斗2、若林 源一郎3、本田 善央4、天野 浩4、井上 翼1、青木 徹5、中野 貴之1,5 (1.静大院工、2.名大院工、3.近大原研、4.名大IMaSS、5.静大電研)
[9p-N321-13]低Ⅴ/Ⅲ比条件下で作製したBGaNダイオードの諸特性評価
〇工藤 涼兵1、小久保 瑛斗2、都木 克之3、若林 源一郎4、本田 善央5、天野 浩5、井上 翼1,6、青木 徹1,3、中野 貴之1,3,6 (1.静大創造、2.名大院工、3.静大電研、4.近大原研、5.名大IMaSS、6.静大工)
[9p-N321-14]c-BScNエピタキシャル薄膜のスパッタリング成長機構
〇前田 亮太1、谷保 芳孝1、熊倉 一英1、二宮 翔2、西堀 麻衣子2、平間 一行1 (1.NTT物性研、2.東北大学)
[9p-N321-15]ScxB1-xN混晶におけるバンドアライメントの評価
〇河島 龍1、水野 斎1、松本 公久1、太田 優一1 (1.富山県立大)
[9p-N321-16]高温アニールしたAlN上への超伝導体NbNx薄膜の作製と評価
〇加藤 雄貴1、原田 尚之2、三宅 秀人3、池田 和久1、小林 篤1 (1.理科大院先進工、2.NIMS、3.三重大院工)
[9p-N321-17]スパッタ法によるNbAlN薄膜のエピタキシャル成長
〇菊池 立貢1、黒木 颯太2、河村 貴宏3、池田 和久1,2、小林 篤1,2 (1.理科大院先進工、2.理科大先進工、3.三重大院工)