講演情報
[9p-N322-10]4H-SiC(0001)/SiO2界面のPbCタイプ2センター
〇(M2)島袋 聞多1、西谷 侑将2、堀内 颯介1、染谷 満3、平井 悠久3、渡部 平司4、松下 雄一郎2、梅田 享英1 (1.筑波大、2.Quemix、3.産総研、4.阪大)
キーワード：
4H-SiC(0001)、MOS界面、炭素ダングリングボンド欠陥
4H-SiC(0001)面のMOS界面欠陥として「PbCセンター」が同定されている。この欠陥は界面炭素ダングリングボンド欠陥であり、価電子帯側[EV + 0.6 eV (+/0)とEV + 1.2 eV (0/-)]に準位がある。他方、私達は伝導帯側（EV + 2.2 eV）の新たな界面炭素ダングリングボンド欠陥を電流検出型電子スピン共鳴（EDMR）分光によって検出している。この欠陥が「PbCタイプ2センター」と名付けることができる第2のPbCセンターであることをEDMR分光と第一原理計算の結果から示したい。