セッション詳細
[9p-N322-1~20]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
2025年9月9日(火) 13:30 〜 19:00
N322 (共通講義棟北)
加藤 正史(名工大)、 細井 卓治(物材機構)、 岡本 大(富山県立大)
[9p-N322-2]熱酸化膜/SiCにおける電流―電圧特性の解析 - Fowler-Nordheimトンネル電流からの乖離
〇吉田 達紀1、三上 杏太1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
[9p-N322-4]2 段階水素熱処理によるSiC MOSFETの性能向上: 窒化排除の新提案
〇藤本 博貴1、小林 拓真1、神畠 真治1、八軒 慶慈1、原 征大1、渡部 平司1 (1.阪大院工)
[9p-N322-9]熱酸化後に行う表面エッチングが4H-SiC表面近傍での炭素関連欠陥の高温生成に与える効果
〇(D)呂 楚陽1、女屋 崇1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域 物質系専攻)
[9p-N322-10]4H-SiC(0001)/SiO2界面のPbCタイプ2センター
〇(M2)島袋 聞多1、西谷 侑将2、堀内 颯介1、染谷 満3、平井 悠久3、渡部 平司4、松下 雄一郎2、梅田 享英1 (1.筑波大、2.Quemix、3.産総研、4.阪大)
[9p-N322-11]連続ターンオフスイッチングの過電圧ストレスによるSiC-MOSFETの特性変動と回復挙動
〇(M2)中谷 拓夢1、Hassan M.S.2、西澤 伸一2、齋藤 渉2 (1.九大総理工、2.九大応力研)
[9p-N322-16]SiO2/SiC界面発光中心のエネルギー準位の同定及び起源の考察
〇大西 健太郎1、中沼 貴澄1、遠山 晴子2、田原 康佐2、朽木 克博2、原 征大1、渡部 平司1、小林 拓真1 (1.阪大院工、2.豊田中研)
[9p-N322-17]SiC 基板の伝導型が SiO2/SiC 界面発光中心の形成過程に及ぼす影響
〇兼子 悠1、中沼 貴澄1、遠山 晴子2、田原 康佐2、朽木 克博2、原 征大1、渡部 平司1、小林 拓真1 (1.阪大工・院工、2.豊田中研)
[9p-N322-20]Z1依存電子阻止断面積モデルとそのSi, C, 4H-SiC, Al, Ni及びAgへの適用
〇望月 和浩1、西村 智朗1、三島 友義1、堀切 文正1 (1.法政大)