セッション詳細

[9p-N322-1~20]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2025年9月9日(火) 13:30 〜 19:00
N322 (共通講義棟北)

[9p-N322-1]プラズマ窒化したSiC表面の体系的評価

〇三浦 大輝1、三上 杏太1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)

[9p-N322-2]熱酸化膜/SiCにおける電流―電圧特性の解析 - Fowler-Nordheimトンネル電流からの乖離

〇吉田 達紀1、三上 杏太1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)

[9p-N322-3]キャリア散乱機構の理論解析に基づくSiC フィンFETにおける移動度向上の考察

〇利光 汐音1、三上 杏太1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)

[9p-N322-4]2 段階水素熱処理によるSiC MOSFETの性能向上: 窒化排除の新提案

〇藤本 博貴1、小林 拓真1、神畠 真治1、八軒 慶慈1、原 征大1、渡部 平司1 (1.阪大院工)

[9p-N322-5]2段階水素熱処理によるSiC MOS構造改善:SiC表面水素処理の効果

〇伊賀 智志1、小林 拓真1、藤本 博貴1、原 征大1、渡部 平司1 (1.阪大院工)

[9p-N322-6]2 段階水素熱処理による SiC MOS 構造改善:絶縁膜堆積後処理の効果

〇八軒 慶慈1、小林 拓真1、藤本 博貴1、原 征大1、渡部 平司1 (1.阪大院工)

[9p-N322-7]2 段階水素熱処理により形成した SiC MOS 構造の熱安定性評価

〇栫 隆人1、小林 拓真1、藤本 博貴1、原 征大1、渡部 平司1 (1.阪大院工)

[9p-N322-8]低温NO酸窒化により形成した極薄SiO2/SiC界面特性評価

〇(M1)香取 拓真1,2、細井 卓治1,2 (1.関学院理工、2.物材機構)

[9p-N322-9]熱酸化後に行う表面エッチングが4H-SiC表面近傍での炭素関連欠陥の高温生成に与える効果

〇(D)呂 楚陽1、女屋 崇1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域 物質系専攻)

[9p-N322-10]4H-SiC(0001)/SiO2界面のPbCタイプ2センター

〇(M2)島袋 聞多1、西谷 侑将2、堀内 颯介1、染谷 満3、平井 悠久3、渡部 平司4、松下 雄一郎2、梅田 享英1 (1.筑波大、2.Quemix、3.産総研、4.阪大)

[9p-N322-11]連続ターンオフスイッチングの過電圧ストレスによるSiC-MOSFETの特性変動と回復挙動

〇(M2)中谷 拓夢1、Hassan M.S.2、西澤 伸一2、齋藤 渉2 (1.九大総理工、2.九大応力研)

[9p-N322-12]ゲート AC 印加時における SiC MOSFET の発光によるしきい値電圧変動

〇(M2)新郷 諒介1、岩室 憲幸1、矢野 裕司1 (1.筑波大)

[9p-N322-13]SiC MOSFET の順方向サージ電流耐量向上に関する検討

〇鈴木 一広1、矢野 裕司1、岩室 憲幸1 (1.筑波大理工)

[9p-N322-14]高注入条件下における高濃度Nドープ4H-SiCのオージェ再結合係数の評価

〇(P)Zhang Endong1、松山 寛子1、加藤 正史1 (1.名工大)

[9p-N322-15]機械学習を用いた光学干渉非接触温度測定法の高性能化に関する研究

〇Yu Jiawen1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大院先進理工)

[9p-N322-16]SiO2/SiC界面発光中心のエネルギー準位の同定及び起源の考察

〇大西 健太郎1、中沼 貴澄1、遠山 晴子2、田原 康佐2、朽木 克博2、原 征大1、渡部 平司1、小林 拓真1 (1.阪大院工、2.豊田中研)

[9p-N322-17]SiC 基板の伝導型が SiO2/SiC 界面発光中心の形成過程に及ぼす影響

〇兼子 悠1、中沼 貴澄1、遠山 晴子2、田原 康佐2、朽木 克博2、原 征大1、渡部 平司1、小林 拓真1 (1.阪大工・院工、2.豊田中研)

[9p-N322-18]第一原理計算による4H-SiC中不純物-空孔ペアの光学特性評価

〇(D)岩本 蒼典1、原 征大1、渡部 平司1、小林 拓真1 (1.阪大院工)

[9p-N322-19]電子励起を伴うイオンのエネルギー損失に対してFirsovが付加した因子の影響

〇望月 和浩1、西村 智朗1、三島 友義1、堀切 文正1 (1.法政大)

[9p-N322-20]Z1依存電子阻止断面積モデルとそのSi, C, 4H-SiC, Al, Ni及びAgへの適用

〇望月 和浩1、西村 智朗1、三島 友義1、堀切 文正1 (1.法政大)