[9p-N322-1~20] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

17:00 〜 17:15

[9p-N322-14] 高注入条件下における高濃度Nドープ4H-SiCのオージェ再結合係数の評価

〇(P)Zhang Endong¹、松山 寛子¹、加藤 正史¹ (1.名工大)

キーワード：

半導体、オージェ再結合係数