講演情報
[9p-N324-12]プラズマ化学気相堆積法による二段階プロセスを用いた窒素ドープダイヤモンド薄膜合成における第一成長層の影響
〇(M1C)米原 由翔1、竹田 圭吾1、平松 美根男1 (1.名城大理工)
キーワード：
マイクロ波プラズマCVD、窒素ドープ、ダイヤモンド
ダイヤモンドは高い絶縁性と熱伝導率を有し、不純物をドープすると半導体特性を示すことから究極の半導体材料として注目されている。しかし、n型伝導を示す窒素ドープダイヤモンド(NDD）は、窒素ドーピングの効率が低く、結晶構造が変化する傾向があるため合成が困難とされてきた。そこで本研究では、プラズマ化学気相堆積(CVD)法を用いてNDD合成時の基板の下地条件を変化させ、窒素ドープに与える影響を調査した。