講演情報
[9p-N405-7]低誘電損失フレキシブルPTFE基板上への高Tc-NbN薄膜の室温製膜方法の検討
〇(M2)山下 星穏1、作間 啓太1、關谷 尚人1 (1.山梨大工)
キーワード：
量子コンピュータ、超伝導高周波ケーブル、PTFE
超伝導量子コンピュータは量子ビット数が増加し，信号伝送/制御用高周波ケーブルの高密度化が求められている．高周波ケーブルの材料として誘電損失が低くフレキシブルなPTFE基板と比較的Tcの高いNbN薄膜導体線路を用いることにより高密度かつ低損失な高周波ケーブルが実現できると考えられる．本報告では，室温製膜においてPTFE基板上に高Tc-NbN薄膜を製膜するための条件を検討したので報告する．