セッション詳細
[9p-P05-1~4]3.12 半導体光デバイス
2025年9月9日(火) 13:30 〜 15:30
P05 (体育館)
[9p-P05-1]InP/Si基板上レーザのボイドと閾値電流密度の関係
〇(M1)ホルト 瑞樹1、黒井 瑞生1、趙 亮1、下村 和彦1 (1.上智大理)
[9p-P05-2]InP/Si親水性貼付け界面におけるVoidのアニーリング時間依存性評価
〇(M2)班 朝克1、趙 亮1、下村 和彦1 (1.上智大学理工学部)
[9p-P05-3]Si上Ge細線受光器の動作波長制御に向けたリセス構造の検討
〇(M2)宮坂 泰地1、Chombo Joshua1、Piedra-Lorenzana Jose A.1、飛沢 健1、藤方 潤一2、石川 靖彦1 (1.豊橋技科大、2.徳島大)
[9p-P05-4]結合二重上位準位構造に基づいた広帯域量子カスケード検出器
〇林 昌平1、堀田 和希1、道垣内 龍男1、ペレス ウルキソ ホエル1、藤田 和上1 (1.浜ホト中研)