講演情報
[9p-P07-8]ブリッジ構造によって導入された一軸および二軸歪がGeの価電子帯及び内殻準位の結合エネルギーに及ぼす影響のHAXPES評価
〇野平 博司1、石川 陸1、桐原 芳治1、川合 遼一1、五島 一樹1、臼井 亮祐1、井上 貴裕1、西原 達平2、澤野 憲太郎1 (1.東京都市大学、2.高輝度光科学研究センター)
キーワード：
硬X線光電子分光法、Geのブリッジ構造、引っ張り歪
Si(100)あるいはSi(110)基板上に二段階成長法を用いてGe層を成長させた。その後ホトリソグラフィーとエッチングにより種々のブリッジ構造を作製した。それらのブリッジ構造を用いて、引っ張り歪の方向の違いや一軸やニ軸の引っ張り歪が価電子帯や内殻準位に及ぼす影響を硬X線光電子分光(HAXPES（BL09XU@SPring-8）を用いて評価し、歪が結合エネルギーに及ぼし影響を明らかにした。