講演情報
[9p-P12-5]Ag・In 系ダブルペロブスカイト半導体の高圧下の光物性におけるCuド ーピング効果
〇下田 諒太郎1、堀越 拓海1、中野 智志2、松石 清人1 (1.筑波大数物、2.物材機構)
キーワード：
ペロブスカイト半導体、光物性
ハロゲン化金属ダブルペロブスカイト半導体は、鉛を含むペロブスカイト半導体と比較して毒性の低さと安定性から、ますます注目を集めている。本研究では、その中でもCs2AgInCl6に注目し、発光効率の向上やバンドギャップの制御のためにCuを添加した単結晶試料の高圧下の構造物性および光物性を調べた。高圧下発光測定からはCu添加によって発光のピーク位置が圧力を印加してもほとんど変化しなくなることが分かった。