講演情報
[9p-S102-6]複数層遷移金属ダイカルコゲナイドを用いた量子井戸エレクトロニクス
〇木下 圭1、守谷 頼1、岡崎 尚太2、小野寺 桃子1、張 奕勁1,3、渡邊 賢司4、谷口 尚4、笹川 崇男2、町田 友樹1 (1.東大生研、2.科学大フロンティア研、3.東大理、4.NIMS)
キーワード：
TMD、量子井戸、トンネル
複数層の遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）は、積層方向の量子閉じ込めに起因するサブバンドが価電子帯・伝導帯の両方で形成され、天然の量子井戸と見なされる。本研究では、数層TMDとh-BNによるファンデルワールス二重量子井戸デバイスを実現した。本デバイスではサブバンド間の共鳴トンネルが生じ、電流-電圧特性に負性微分抵抗を伴う電流ピークが現れる。発表では、三重量子井戸デバイスを含む最新の結果も報告する。