講演情報
[15p-K401-6]AlGaN系UV-Bレーザーダイオードにおける電子ブロック層とガイド層界面でのAl組成傾斜層がキャリア注入効率に与える影響
〇(M1)齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、山田 凌矢1、井本 圭紀1、丸山 竣大1、佐々木 祐輔1、狩野 祥吾1、岩山 章1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大院工)
キーワード：
窒化物、紫外レーザ、有機金属気相成長法
我々は、AlGaN系UV-B LDの室温パルス発振に成功し、150 mWのピーク光出力を達成した。しかし、キャリア注入効率（ηi）は約10%にとどまっており、その向上が不可欠である。原因として、電子ブロック層とガイド層界面の意図しないAl組成傾斜層が挙げられるが、詳細な影響は不明である。本研究では、MOVPE法で作製したUV-B LDを用い、Al組成傾斜層がηiに与える影響を系統的に調査した。