シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 16:55)
[16p-K101-1~9]
極薄物質で本当に良いセンサーができるのか？～ナノチューブ・二次元材料を用いた分子センシングの現状と課題～
シンポジウム：極薄物質で本当に良いセンサーができるのか？～ナノチューブ・二次元材料を用いた分子センシングの現状と課題～
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[16a-K101-1~11]
17.3 層状物質
17 ナノカーボン・二次元材料：17.3 層状物質
シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 17:45)
[16p-K102-1~8]
磁気・スピンをみる―イメージング技術を駆使したマグネティクス・スピントロニクスの新展開―
シンポジウム：磁気・スピンをみる―イメージング技術を駆使したマグネティクス・スピントロニクスの新展開―
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:15)
[16a-K102-1~8]
10.5 磁場応用
10 スピントロニクス・マグネティクス：10.5 磁場応用
シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 18:05)
[16p-K103-1~11]
革新的フォトニクスが拓く光科学の最前線
シンポジウム：革新的フォトニクスが拓く光科学の最前線
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:45)
[16a-K103-1~10]
13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術
13 半導体：13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術
シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 17:30)
[16p-K201-1~6]
【一般公開】理工系人材の枯渇危機をどう乗り越えるか？！ ー15歳からのキャリアパスを考えるー
シンポジウム：【一般公開】理工系人材の枯渇危機をどう乗り越えるか？！ ー15歳からのキャリアパスを考えるー
シンポジウム(口頭講演)(9:30 〜 12:00)
[16a-K202-1~6]
原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術
シンポジウム：原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術
シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 17:15)
[16p-K202-1~12]
原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術
シンポジウム：原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術
シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 17:40)
[16p-K203-1~10]
次世代トランジスタに向けた新規な機能性酸化物半導体チャネル材料・デバイス・作製技術の新展開
シンポジウム：次世代トランジスタに向けた新規な機能性酸化物半導体チャネル材料・デバイス・作製技術の新展開
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:45)
[16a-K203-1~9]
6.3 酸化物エレクトロニクス
6 薄膜・表面：6.3 酸化物エレクトロニクス
シンポジウム(口頭講演)(10:00 〜 12:05)
[16a-K204-1~5]
【一般公開】音と応用物理のコラボレーション
シンポジウム：【一般公開】音と応用物理のコラボレーション
シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 15:45)
[16p-K204-1~5]
【一般公開】音と応用物理のコラボレーション
シンポジウム：【一般公開】音と応用物理のコラボレーション
シンポジウム(口頭講演)(13:00 〜 17:30)
[16p-K205-1~10]
カーボンニュートラルを実現する半導体低消費電力化技術の最前線
シンポジウム：カーボンニュートラルを実現する半導体低消費電力化技術の最前線
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 10:30)
[16a-K205-1~6]
16.2 エナジーハーベスティング
16 非晶質・微結晶：16.2 エナジーハーベスティング
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 15:15)
[16p-K206-1~8]
11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長
11 超伝導：11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 10:45)
[16a-K206-1~6]
11.3 臨界電流，超伝導パワー応用
11 超伝導：11.3 臨界電流，超伝導パワー応用
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:45)
[16a-K207-1~10]
17.2 グラフェン
17 ナノカーボン・二次元材料：17.2 グラフェン
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 18:00)
[16p-K209-1~16]
11.4 アナログ応用および関連技術
11 超伝導：11.4 アナログ応用および関連技術
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[16a-K209-1~11]
11.5 接合，回路作製プロセスおよびディジタル応用
11 超伝導：11.5 接合，回路作製プロセスおよびディジタル応用
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:30)
[16a-K301-1~13]
13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
一般セッション(口頭講演)(14:00 〜 17:30)
[16p-K301-1~13]
13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
一般セッション(口頭講演)(10:00 〜 11:30)
[16a-K302-1~4]
13.8 光物性・発光デバイス
13 半導体：13.8 光物性・発光デバイス
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 15:00)
[16p-K302-1~6]
13.8 光物性・発光デバイス
13 半導体：13.8 光物性・発光デバイス
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:45)
[16a-K303-1~10]
8.4 プラズマライフサイエンス
8 プラズマエレクトロニクス：8.4 プラズマライフサイエンス
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:00)
[16p-K303-1~9]
8.4 プラズマライフサイエンス
8 プラズマエレクトロニクス：8.4 プラズマライフサイエンス
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:15)
[16p-K304-1~14]
8.5 プラズマ現象・新応用・融合分野
8 プラズマエレクトロニクス：8.5 プラズマ現象・新応用・融合分野
一般セッション(口頭講演)(17:15 〜 17:45)
[16p-K304-15~16]
8.6 Plasma Electronics English Session
8 プラズマエレクトロニクス：8.6 Plasma Electronics English Session
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:15)
[16a-K305-1~8]
3.13 シリコンフォトニクス・光電融合集積・光制御
3 光・フォトニクス：3.13 シリコンフォトニクス・光電融合集積・光制御
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 18:00)
[16p-K305-1~16]
3.13 シリコンフォトニクス・光電融合集積・光制御
3 光・フォトニクス：3.13 シリコンフォトニクス・光電融合集積・光制御
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[16a-K306-1~11]
FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」
FS フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」：FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:30)
[16p-K306-1~11]
FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」
FS フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」：FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 18:30)
[16p-K307-1~17]
9.1 誘電材料・誘電体
9 応用物性：9.1 誘電材料・誘電体
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:45)
[16a-K307-1~10]
9.3 ナノエレクトロニクス
9 応用物性：9.3 ナノエレクトロニクス
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)
[16a-K308-1~9]
16.3 シリコン系太陽電池
16 非晶質・微結晶：16.3 シリコン系太陽電池
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:15)
[16p-K308-1~14]
16.3 シリコン系太陽電池
16 非晶質・微結晶：16.3 シリコン系太陽電池
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:15)
[16p-K309-1~10]
3.12 半導体光デバイス
3 光・フォトニクス：3.12 半導体光デバイス
一般セッション(口頭講演)(10:00 〜 11:15)
[16a-K309-1~5]
9.4 熱電変換
9 応用物性：9.4 熱電変換
一般セッション(口頭講演)(9:30 〜 11:30)
[16a-K310-1~8]
15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
15 結晶工学：15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 14:45)
[16p-K310-1~5]
15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
15 結晶工学：15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)
[16a-K401-1~9]
15.4 III-V族窒化物結晶
15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 17:30)
[16p-K401-1~16]
15.4 III-V族窒化物結晶
15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 17:15)
[16p-K402-1~15]
12.6 ナノバイオテクノロジー
12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.6 ナノバイオテクノロジー
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)
[16a-K402-1~8]
CS.7 12.6 ナノバイオテクノロジー、12.7 医用工学・バイオチップのコードシェア
CS コードシェアセッション：【CS.7】12.6 ナノバイオテクノロジー、12.7 医用工学・バイオチップのコードシェア
一般セッション(口頭講演)(9:30 〜 11:15)
[16a-K403-1~6]
6.2 カーボン系薄膜
6 薄膜・表面：6.2 カーボン系薄膜
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 16:45)
[16p-K403-1~13]
12.7 医用工学・バイオチップ
12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.7 医用工学・バイオチップ
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 16:00)
[16p-K404-1~11]
12.4 有機EL・トランジスタ
12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.4 有機EL・トランジスタ
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)
[16a-K405-1~9]
12.5 有機・ハイブリッド太陽電池
12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.5 有機・ハイブリッド太陽電池
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 17:00)
[16p-K405-1~14]
12.5 有機・ハイブリッド太陽電池
12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.5 有機・ハイブリッド太陽電池
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)
[16a-K406-1~9]
12.3 機能材料・萌芽的デバイス
12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.3 機能材料・萌芽的デバイス
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 17:45)
[16p-K406-1~16]
12.3 機能材料・萌芽的デバイス
12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.3 機能材料・萌芽的デバイス
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 18:15)
[16p-K501-1~19]
2.2 発生装置・検出器開発・計測技術
2 放射線：2.2 発生装置・検出器開発・計測技術
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)
[16a-K502-1~9]
2.1 放射線物理・材料開発・材料特性評価
2 放射線：2.1 放射線物理・材料開発・材料特性評価
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 16:45)
[16p-K502-1~13]
2.1 放射線物理・材料開発・材料特性評価
2 放射線：2.1 放射線物理・材料開発・材料特性評価
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 15:30)
[16p-K503-1~9]
KS.1 固体量子センサ研究会
KS 研究会セッション：KS.1 固体量子センサ研究会
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 17:00)
[16p-K504-1~15]
6.4 薄膜新材料
6 薄膜・表面：6.4 薄膜新材料
一般セッション(口頭講演)(10:00 〜 11:30)
[16a-K504-1~6]
6.6 プローブ顕微鏡
6 薄膜・表面：6.6 プローブ顕微鏡
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)
[16a-K505-1~9]
23.1 合同セッションN「インフォマティクス応用」
23 合同セッションN「インフォマティクス応用」：23.1 合同セッションN「インフォマティクス応用」
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 17:45)
[16p-K505-1~17]
23.1 合同セッションN「インフォマティクス応用」
23 合同セッションN「インフォマティクス応用」：23.1 合同セッションN「インフォマティクス応用」
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:45)
[16a-K506-1~10]
3.6 レーザープロセシング
3 光・フォトニクス：3.6 レーザープロセシング
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 18:30)
[16p-K506-1~19]
3.6 レーザープロセシング
3 光・フォトニクス：3.6 レーザープロセシング
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 17:30)
[16p-K507-1~14]
CS.1 2.3 加速器質量分析・加速器ビーム分析、7.4 イオンビーム一般のコードシェア
CS コードシェアセッション：【CS.1】2.3 加速器質量分析・加速器ビーム分析、7.4 イオンビーム一般のコードシェア
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 14:45)
[16p-K508-1~6]
3.11 ナノ領域光科学･近接場光学
3 光・フォトニクス：3.11 ナノ領域光科学･近接場光学
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[16a-K508-1~11]
13.5 デバイス／配線／集積化技術
13 半導体：13.5 デバイス／配線／集積化技術
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)
[16a-Y1311-1~9]
21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 17:15)
[16p-Y1311-1~15]
21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)
[16a-P01-1~18]
3.1 光学基礎・光学新領域
3 光・フォトニクス：3.1 光学基礎・光学新領域
一般セッション(ポスター講演)(13:30 〜 15:30)
[16p-P01-1~9]
8.1 プラズマ生成・診断
8 プラズマエレクトロニクス：8.1 プラズマ生成・診断
一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)
[16a-P02-1~14]
3.2 情報フォトニクス・画像工学
3 光・フォトニクス：3.2 情報フォトニクス・画像工学
一般セッション(ポスター講演)(13:30 〜 15:30)
[16p-P02-1~7]
8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理
8 プラズマエレクトロニクス：8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理
一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)
[16a-P03-1~15]
3.3 生体・医用光学
3 光・フォトニクス：3.3 生体・医用光学
一般セッション(ポスター講演)(13:30 〜 15:30)
[16p-P03-1~2]
8.3 プラズマナノテクノロジー
8 プラズマエレクトロニクス：8.3 プラズマナノテクノロジー
一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)
[16a-P04-1~5]
3.5 超高速・高強度レーザー
3 光・フォトニクス：3.5 超高速・高強度レーザー
一般セッション(ポスター講演)(13:30 〜 15:30)
[16p-P04-1~20]
12.1 作製・構造制御
12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.1 作製・構造制御
一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)
[16a-P05-1~16]
3.8 テラヘルツ全般
3 光・フォトニクス：3.8 テラヘルツ全般
一般セッション(ポスター講演)(13:30 〜 15:30)
[16p-P05-1~20]
12.2 評価・基礎物性
12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.2 評価・基礎物性
一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)
[16a-P06-1~5]
3.10 フォトニック構造・現象
3 光・フォトニクス：3.10 フォトニック構造・現象
一般セッション(ポスター講演)(13:30 〜 15:30)
[16p-P06-1~3]
15.2 II-VI族結晶および多元系結晶
15 結晶工学：15.2 II-VI族結晶および多元系結晶
一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)
[16a-P07-1~24]
3.11 ナノ領域光科学･近接場光学
3 光・フォトニクス：3.11 ナノ領域光科学･近接場光学
一般セッション(ポスター講演)(13:30 〜 15:30)
[16p-P07-1~8]
15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶
15 結晶工学：15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶
一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)
[16a-P08-1~4]
3.12 半導体光デバイス
3 光・フォトニクス：3.12 半導体光デバイス
一般セッション(ポスター講演)(16:00 〜 18:00)
[16p-P08-1~7]
6.1 強誘電体薄膜
6 薄膜・表面：6.1 強誘電体薄膜
一般セッション(ポスター講演)(16:00 〜 18:00)
[16p-P09-1~15]
6.2 カーボン系薄膜
6 薄膜・表面：6.2 カーボン系薄膜
一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)
[16a-P09-1~1]
22 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」（ポスター）
22 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」：22 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」（ポスター）
一般セッション(ポスター講演)(16:00 〜 18:00)
[16p-P10-1~10]
6.5 表面物理・真空
6 薄膜・表面：6.5 表面物理・真空
一般セッション(ポスター講演)(16:00 〜 18:00)
[16p-P11-1~13]
6.6 プローブ顕微鏡
6 薄膜・表面：6.6 プローブ顕微鏡
一般セッション(ポスター講演)(16:00 〜 18:00)
[16p-P12-1~6]
13.2 探索的材料物性・基礎物性
13 半導体：13.2 探索的材料物性・基礎物性
一般セッション(ポスター講演)(16:00 〜 18:00)
[16p-P13-1~5]
13.3 絶縁膜技術
13 半導体：13.3 絶縁膜技術
一般セッション(ポスター講演)(16:00 〜 18:00)
[16p-P14-1~6]
13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス
13 半導体：13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス
一般セッション(ポスター講演)(16:00 〜 18:00)
[16p-P15-1~8]
13.9 化合物太陽電池
13 半導体：13.9 化合物太陽電池
一般セッション(ポスター講演)(16:00 〜 18:00)
[16p-P16-1~5]
KS 研究会セッション（ポスター）
KS 研究会セッション：KS 研究会セッション（ポスター）